‌岗位职责：‌
‌工艺开发与优化：‌
制定并执行磷化铟单晶生长实验方案，优化热场设计、温度梯度、生长速率及压力控制参数。
解决晶体生长过程中的关键技术难题，如抑制孪晶形成、降低位错密度、控制深能级缺陷（如氢-铟空位复合体）及提高半绝缘特性的一致性。
主导新工艺从实验室到中试再到量产线的导入，编制标准作业程序（SOP）及技术规格书。
‌设备管理与维护：‌

熟悉InP长晶炉及相关辅助设备（如多晶合成炉、退火炉）的结构与原理，协同设备部门进行故障排查与维护。
参与新型长晶设备的选型、调试及国产化替代验证工作。
‌质量控制与分析：‌
分析晶体缺陷成因（如微缺陷、点缺陷、晶格畸变），通过X射线衍射（XRD）、光致发光（PL）、霍尔效应测试等手段评估材料电学与光学性能。
针对客户反馈的衬底质量问题，提供根本原因分析及改进措施。
‌技术攻关与创新：‌
跟踪国际III-V族化合物半导体前沿技术，探索大直径（6英寸及以上）InP单晶生长技术。
参与专利申请及技术秘密保护，撰写技术报告与学术论文。
‌任职要求：‌
‌教育背景：‌
本科及以上学历，材料科学与工程、微电子、物理化学、化工工艺或相关专业优先；博士学历在研发岗更具竞争力。
‌工作经验：‌
2年以上化合物半导体（InP, GaAs, GaSb等）晶体生长经验。
具备独立操作VGF、LEC或VB/CZ长晶设备的实战经验，有量产线工艺优化成功案例者优先。
熟悉高纯铟、高纯磷的合成及多晶制备流程者加分。
‌专业技能：‌
深入理解晶体生长动力学、热力学及缺陷物理机制。
熟练掌握ANSYS Fluent、Comsol等仿真软件进行热场模拟者优先。
具备良好的数据分析能力，能使用JMP、Minitab等工具进行DOE实验设计与统计分析。
‌综合素质：‌
具备严谨的科学态度和解决复杂工程问题的能力。
良好的团队协作精神，能与设备、品质、生产等部门高效沟通。
适应洁净室工作环境，具备较强的抗压能力。